+31 35 711 0876 Support Center   Remote Help

HP verbetert prestaties memristor-geheugen

Posted op: Maandag 16 mei 2011
HP verbetert prestaties memristor-geheugen
Wetenschappers van HP hebben een manier gevonden om de geheugendichtheid van memristor-geheugen enorm te verbeteren. Er kan meer data worden opgeslagen op een zeer klein oppervlak.





Wetenschappers in dienst van HP hebben een doorbraak gemaakt bij het ontwikkelen van geheugentechnologie met behulp van  memristors. Geheugen gemaakt met deze techniek moet de opvolger worden van DRAM- of Flash-geheugen. Memristors hebben geen energie nodig om data op te slaan en kunnen veel meer data aan per vierkante centimeter.

De onderzoekers melden dat zij precies in kaart hebben gebracht wat er gebeurt met de basischemie en de structuur van het materiaal, als de memristor gebruikt wordt. Zij doen dat uit de doeken in een paper, die later vandaag uitkomt in het tijdschrift ‘Nanotechnology’.


Significante verbetering

HP heeft eerder al werkende memristors gebouwd in zijn laboratorium. Wetenschappers van het bedrijf wisten toen nog niet wat er nu exact gebeurde in de kleine structuren van het materiaal. Desondanks was het Amerikaanse bedrijf er toen al van overtuigd dat het de nieuwe geheugentechniek zou kunnen commercialiseren.

Volgens onderzoeker Stan Williams zal de nieuwe ontdekking de prestaties van de techniek enorm verbeteren doordat de geheugendichtheid groter wordt. Er kan dus meer opgeslagen worden op een kleinere ruimte. Hij stelt dat de ontwikkelaars op een weg zaten die een redelijk goed werkend product zou leveren. Door de ontdekkingen is het vertrouwen van de onderzoekers verbeterd en dat zou er tot moeten leiden dat de apparaten significant beter gaan werken.


Onderzocht met röntgen

Memristors werden in 1971 voor het eerst beschreven door professor Leon Chua. Daarvoor kenden wetenschappers maar drie fundamentele schakelelementen: weerstand, condensator en spoel. Enkele jaren geleden wisten wetenschappers van HP daar een vierde aan toe te voegen: de memristors.

De wetenschappers toonden ook aan dat ze konden schakelen tussen twee of meer elektrische weerstandsniveaus. Die niveaus kunnen nullen en enen vertegenwoordigen. Het was alleen moeilijk om dit schakelen te onderzoeken omdat de memristors zo klein zijn. HP gebruikte daarvoor uiteindelijk zeer gerichte röntgenstralen. Daardoor kregen de onderzoekers een beter beeld van de werking van memristors.

12 gigabyte per vierkante centimeter
Williams schat in dat de technologie halverwege 2013 commercieel beschikbaar is. Alhoewel hij daar direct aan toevoegt dat dit geen officiële belofte van HP is. In haar laboratorium wist het bedrijf al geheugen te maken met een opslagdichtheid van 12 gigabyte per vierkante centimeter. Die dichtheid wordt behaald met een 15-nanometer productieproces en een ontwerp met vier op elkaar gestapelde lagen.

Memristor is één van de geheugentechnologieën die de opvolger moet worden van  Flash- en  DRAM-geheugen. Die technieken zullen over niet al te lange tijd tegen fysieke beperkingen aanlopen waardoor het niet langer mogelijk is om een hogere geheugendichtheid te krijgen.

Williams schat in dat flashgeheugen, dat nu nog ontzettend populair is, die grens al binnen een jaar of vier kan bereiken. DRAM kan nog wel wat langer mee. In tegenstelling tot die laatste techniek is Memristor een  niet-vluchtige geheugentechniek. Dat betekent dat gegevens ook aanwezig zijn als er geen stroom door het materiaal loopt.


Bron: Webwereld
Terug naar het nieuws overzicht